SIHP8N50D-E3 Vishay Siliconix
5.0 / 5.0 - (344 Vurderinger)

SIHP8N50D-E3

Produktoversigt

13007237

Delnummer

SIHP8N50D-E3-DG
SIHP8N50D-E3

Beskrivelse

MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB

Lager

2296 Stk Nye Originaler På Lager
N-Channel 500 V 8.7A (Tc) 156W (Tc) Through Hole TO-220AB
Mængde
Minimum 1

Køb og forespørgsel

RFQ (Anmodning om tilbud)

Du kan indsende din RFQ-anmodning direkte på produktdetaljesiden eller RFQ-siden. Vores salgsteam vil svare på din anmodning inden for 24 timer.

Betalingsmetode

Vi tilbyder flere bekvemme betalingsmetoder, herunder PayPal (anbefalet til nye kunder), kreditkort og bankoverførsler (T/T) i USD, EUR, HKD og andre.

VIGTIG MEDDELELSE

Når du sender din forespørgsel (RFQ), vil du modtage en e-mail i din indbakke om vores modtagelse af din forespørgsel. Hvis du ikke modtager den, kan vores e-mailadresse være blevet fejlagtigt identificeret som spam. Kontroller venligst din spam-mappe og tilføj vores e-mailadresse [email protected] til din whitelist for at sikre, at du modtager vores tilbud. På grund af muligheden for lager- og prisændringer skal vores salgsteam bekræfte din forespørgsel eller ordre og sende dig opdateringer pr. e-mail i rette tid. Hvis du har andre spørgsmål eller har brug for yderligere hjælp, er du velkommen til at give os besked.

På lager (Alle priser er i USD)
  • ANTAL Målsætning Totalpris
  • 1 1.6700 1.6700
  • 50 0.9200 45.7800
  • 100 0.8300 83.0400
  • 500 0.6700 335.5300
  • 1000 0.6200 615.2400
Bedre pris ved online RFQ
Anmod om tilbud(Afsendes i morgen)
Mængde
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer

SIHP8N50D-E3 Tekniske specifikationer

Kategori FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er

Producent Vishay

Emballage Tube

Serie -

Emballage Tube

Status for del Last Time Buy

FET-type N-Channel

Teknologi MOSFET (Metal Oxide)

Afløb til kildespænding (Vdss) 500 V

Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C 8.7A (Tc)

Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt) 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs 850mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th) (Maks.) @ Id 5V @ 250µA

Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs 30 nC @ 10 V

Vgs (maks.) ±30V

Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds 527 pF @ 100 V

FET-funktion -

Strømtab (maks.) 156W (Tc)

Driftstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)

Monteringstype Through Hole

Pakke med leverandørenheder TO-220AB

Pakke / etui TO-220-3

Basis produktnummer SIHP8

Datablad og dokumenter

HTML datablade

SIHP8N50D-E3-DG

Alternative modeller

DELENUMMER
FREMSTILLER
ANTAL TILGÆNGELIGT
DELE NUMMER
ENHEDSPRIS
ERSTATNINGSTYPE
AOT9N50
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
3846
AOT9N50-DG
0.4600
MFR Recommended
STP9NK50Z
STMicroelectronics
2300
STP9NK50Z-DG
0.3607
MFR Recommended
STP8NM50N
STMicroelectronics
1900
STP8NM50N-DG
0.8800
MFR Recommended
IRF840PBF
Vishay Siliconix
324919
IRF840PBF-DG
0.6520
MFR Recommended
DIGI-certificering
Blogs og Indlæg