SQM100N10-10_GE3 Vishay Siliconix
4.9 / 5.0 - (84 Vurderinger)

SQM100N10-10_GE3

Produktoversigt

12787524

Delnummer

SQM100N10-10_GE3-DG

Producent

Vishay Siliconix
SQM100N10-10_GE3

Beskrivelse

MOSFET N-CH 100V 100A TO263

Lager

217 Stk Nye Originaler På Lager
N-Channel 100 V 100A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Enkelt FET'er, MOSFET'er
SQM100N10-10_GE3 Datasheet
Mængde
Minimum 1

Køb og forespørgsel

RFQ (Anmodning om tilbud)

Du kan indsende din RFQ-anmodning direkte på produktdetaljesiden eller RFQ-siden. Vores salgsteam vil svare på din anmodning inden for 24 timer.

Betalingsmetode

Vi tilbyder flere bekvemme betalingsmetoder, herunder PayPal (anbefalet til nye kunder), kreditkort og bankoverførsler (T/T) i USD, EUR, HKD og andre.

VIGTIG MEDDELELSE

Når du sender din forespørgsel (RFQ), vil du modtage en e-mail i din indbakke om vores modtagelse af din forespørgsel. Hvis du ikke modtager den, kan vores e-mailadresse være blevet fejlagtigt identificeret som spam. Kontroller venligst din spam-mappe og tilføj vores e-mailadresse [email protected] til din whitelist for at sikre, at du modtager vores tilbud. På grund af muligheden for lager- og prisændringer skal vores salgsteam bekræfte din forespørgsel eller ordre og sende dig opdateringer pr. e-mail i rette tid. Hvis du har andre spørgsmål eller har brug for yderligere hjælp, er du velkommen til at give os besked.

På lager (Alle priser er i USD)
  • ANTAL Målsætning Totalpris
  • 800 1.67 1334.48
  • 1600 1.46 2334.98
  • 2400 1.34 3227.76
  • 5600 1.30 7304.22
Bedre pris ved online RFQ
Anmod om tilbud(Afsendes i morgen)
Mængde
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer

SQM100N10-10_GE3 Tekniske specifikationer

Kategori FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er

Producent Vishay

Emballage Tape & Reel (TR)

Serie TrenchFET®

Produkt status Active

FET-type N-Channel

Teknologi MOSFET (Metal Oxide)

Afløb til kildespænding (Vdss) 100 V

Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C 100A (Tc)

Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt) 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.5mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (Maks.) @ Id 2.5V @ 250µA

Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs 185 nC @ 10 V

Vgs (maks.) ±20V

Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds 8050 pF @ 25 V

FET-funktion -

Strømtab (maks.) 375W (Tc)

Driftstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)

Grad Automotive

Kvalifikation AEC-Q101

Monteringstype Surface Mount

Pakke med leverandørenheder TO-263 (D2PAK)

Pakke / etui TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Basis produktnummer SQM100

Datablad og dokumenter

Datasheets

Download SQM100N10-10_GE3 Produkt specifikation (PDF)
Datablade

SQM100N10-10
HTML datablade

SQM100N10-10_GE3-DG

Miljø- og eksportklassificering

RoHS-status ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Yderligere Information

Standard pakke
800
Andre navne
SQM100N10-10_GE3-DG
SQM100N10-10_GE3CT
SQM100N10-10-GE3
SQM100N10-10-GE3-DG
SQM100N10-10_GE3TR
SQM100N10-10_GE3DKR

Alternative modeller

DELENUMMER
FREMSTILLER
ANTAL TILGÆNGELIGT
DELE NUMMER
ENHEDSPRIS
ERSTATNINGSTYPE
IXFA130N10T2
IXYS
RFQ Online
IXFA130N10T2-DG
2.41
MFR Recommended
DIGI-certificering
ISO 209001_2015
ISO 209001_2015
ISO 14001_2015
ISO 2014001_2015
ISO 45001_2018
ISO 2045001_2018
DUNS REGISTERED
DUNS REGISTERED
Companines Registry
Companines Registry
ASA Certificate
ASA Certificate
UKAS
UKAS
ESD Certificate
ESD Certificate
Relaterede produkter
Blogs og Indlæg
Seneste fremskridt inden for integreret kredsløbsteknologi: Analyse af fem banebrydende teknologier
Jan 18 2025
Fremskridt inden for induktorteknologi: Innovative anvendelser af LTCC og højfrekvente resonanskonvertere
Jan 18 2025
Kredsløbsbeskyttelse: Nøgleteknologier til sikring af sikkerheden i industrielle og bilelektroniske systemer
Jan 18 2025