SIR642DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
4.9 / 5.0 - (386 Vurderinger)

SIR642DP-T1-GE3

Produktoversigt

12786976

Delnummer

SIR642DP-T1-GE3-DG

Producent

Vishay Siliconix
SIR642DP-T1-GE3

Beskrivelse

MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Lager

RFQ Online
N-Channel 40 V 60A (Tc) 4.8W (Ta), 41.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Enkelt FET'er, MOSFET'er
SIR642DP-T1-GE3 Datasheet
Mængde
Minimum 1

Køb og forespørgsel

RFQ (Anmodning om tilbud)

Du kan indsende din RFQ-anmodning direkte på produktdetaljesiden eller RFQ-siden. Vores salgsteam vil svare på din anmodning inden for 24 timer.

Betalingsmetode

Vi tilbyder flere bekvemme betalingsmetoder, herunder PayPal (anbefalet til nye kunder), kreditkort og bankoverførsler (T/T) i USD, EUR, HKD og andre.

VIGTIG MEDDELELSE

Når du sender din forespørgsel (RFQ), vil du modtage en e-mail i din indbakke om vores modtagelse af din forespørgsel. Hvis du ikke modtager den, kan vores e-mailadresse være blevet fejlagtigt identificeret som spam. Kontroller venligst din spam-mappe og tilføj vores e-mailadresse [email protected] til din whitelist for at sikre, at du modtager vores tilbud. På grund af muligheden for lager- og prisændringer skal vores salgsteam bekræfte din forespørgsel eller ordre og sende dig opdateringer pr. e-mail i rette tid. Hvis du har andre spørgsmål eller har brug for yderligere hjælp, er du velkommen til at give os besked.

Anmod om tilbud(Afsendes i morgen)
Mængde
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer

SIR642DP-T1-GE3 Tekniske specifikationer

Kategori FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er

Producent Vishay

Emballage -

Serie TrenchFET®

Produkt status Obsolete

FET-type N-Channel

Teknologi MOSFET (Metal Oxide)

Afløb til kildespænding (Vdss) 40 V

Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C 60A (Tc)

Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt) 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Maks.) @ Id 2.3V @ 250µA

Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs 84 nC @ 10 V

Vgs (maks.) ±20V

Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds 4155 pF @ 20 V

FET-funktion -

Strømtab (maks.) 4.8W (Ta), 41.7W (Tc)

Driftstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)

Monteringstype Surface Mount

Pakke med leverandørenheder PowerPAK® SO-8

Pakke / etui PowerPAK® SO-8

Basis produktnummer SIR642

Datablad og dokumenter

Datasheets

Download SIR642DP-T1-GE3 Produkt specifikation (PDF)
Datablade

SIR462DP
HTML datablade

SIR642DP-T1-GE3-DG

Miljø- og eksportklassificering

RoHS-status ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Yderligere Information

Standard pakke
3,000
Andre navne
SIR642DP-T1-GE3TR
SIR642DPT1GE3
SIR642DP-T1-GE3CT
SIR642DP-T1-GE3DKR

Alternative modeller

DELENUMMER
FREMSTILLER
ANTAL TILGÆNGELIGT
DELE NUMMER
ENHEDSPRIS
ERSTATNINGSTYPE
BSC022N04LSATMA1
Infineon Technologies
18064
BSC022N04LSATMA1-DG
0.52
MFR Recommended
SIR470DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
6457
SIR470DP-T1-GE3-DG
1.11
MFR Recommended
DIGI-certificering
ISO 209001_2015
ISO 209001_2015
ISO 14001_2015
ISO 2014001_2015
ISO 45001_2018
ISO 2045001_2018
DUNS REGISTERED
DUNS REGISTERED
Companines Registry
Companines Registry
ASA Certificate
ASA Certificate
UKAS
UKAS
ESD Certificate
ESD Certificate
Relaterede produkter
Blogs og Indlæg
Seneste fremskridt inden for integreret kredsløbsteknologi: Analyse af fem banebrydende teknologier
Jan 18 2025
Fremskridt inden for induktorteknologi: Innovative anvendelser af LTCC og højfrekvente resonanskonvertere
Jan 18 2025
Kredsløbsbeskyttelse: Nøgleteknologier til sikring af sikkerheden i industrielle og bilelektroniske systemer
Jan 18 2025