SIHFB20N50K-E3 >
SIHFB20N50K-E3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 20A TO220AB
2338 Stk Nye Originaler På Lager
N-Channel 500 V 20A (Tc) 280W (Tc) Through Hole TO-220AB
Anmod om tilbud (Afsendes i morgen)
*Mængde
Minimum 1
SIHFB20N50K-E3 Vishay Siliconix
5.0 / 5.0 - (164 Vurderinger)

SIHFB20N50K-E3

Produktoversigt

12787006

Delnummer

SIHFB20N50K-E3-DG
SIHFB20N50K-E3

Beskrivelse

MOSFET N-CH 500V 20A TO220AB

Lager

2338 Stk Nye Originaler På Lager
N-Channel 500 V 20A (Tc) 280W (Tc) Through Hole TO-220AB
Mængde
Minimum 1

Køb og forespørgsel

Kvalitetssikring

365 dages kvalitetsgaranti - Hvert stykke er fuldt ud dækket.

90 dages refusion eller ombytning - Defekte dele? Ingen besvær.

Begrænset lager, Bestil nu - Få pålidelige dele uden bekymringer.

Global forsendelse og sikker emballering

Verdensomspændende levering på 3-5 hverdage

100% ESD Antistatiske Pakker

Real-time sporing for hver ordre

Sikker og fleksibel betaling

Kreditkort, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Bankoverførsel (T/T) og mere

Alle betalinger krypteret for sikkerhed

På lager (Alle priser er i USD)
  • ANTAL Målsætning Totalpris
  • 1 3.8009 3.8009
  • 200 1.5177 303.5400
  • 500 1.4662 733.1000
  • 1000 1.4412 1441.2000
Bedre pris ved online RFQ
Anmod om tilbud (Afsendes i morgen)
* Mængde
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer

SIHFB20N50K-E3 Tekniske specifikationer

Kategori Transistorer, FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er

Producent Vishay

Emballage Tube

Serie -

Produkt status Active

FET-type N-Channel

Teknologi MOSFET (Metal Oxide)

Afløb til kildespænding (Vdss) 500 V

Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C 20A (Tc)

Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt) 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th) (Maks.) @ Id 5V @ 250µA

Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs 110 nC @ 10 V

Vgs (maks.) ±30V

Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds 2870 pF @ 25 V

FET-funktion -

Strømtab (maks.) 280W (Tc)

Driftstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)

Monteringstype Through Hole

Pakke med leverandørenheder TO-220AB

Pakke / etui TO-220-3

Basis produktnummer SIHFB20

Datablad og dokumenter

HTML datablade

SIHFB20N50K-E3-DG

Miljø- og eksportklassificering

Fugtfølsomhedsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Yderligere Information

Standard pakke
1,000

Alternative dele

DELENUMMER
FREMSTILLER
ANTAL TILGÆNGELIGT
DELE NUMMER
ENHEDSPRIS
ERSTATNINGSTYPE
FDP22N50N
onsemi
2177
FDP22N50N-DG
0.0033
MFR Recommended
IXTP460P2
IXYS
3587
IXTP460P2-DG
0.0107
MFR Recommended
IRFB20N50KPBF
Vishay Siliconix
27296
IRFB20N50KPBF-DG
0.0105
Parametric Equivalent
FDP19N40
onsemi
22865
FDP19N40-DG
1.4025
Similar

Reviews

5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
月***者
Dec 02, 2025
5.0
在DiGi Electronics購物真是太棒了,物流速度超快,第二天就收到了商品,非常令人滿意!
い***るく
Dec 02, 2025
5.0
親切なカスタマーサービスのおかげで、快適に買い物できました。
Wildflo***Whisper
Dec 02, 2025
5.0
Efficient stock management means I can rely on their timely deliveries.
Sunn***rings
Dec 02, 2025
5.0
Their professional approach made my whole shopping experience excellent.
Whims***lWheat
Dec 02, 2025
5.0
Fast shipping combined with resilient product quality makes DiGi Electronics a trusted brand.
Cle***kies
Dec 02, 2025
5.0
DiGi Electronics maintains an excellent reputation for quality control.
Vel***Sky
Dec 02, 2025
5.0
Lightning-fast shipping and excellent after-sales service—truly exceptional.
Publish Evalution
* Product Rating
(Normal/Preferably/Outstanding, default 5 stars)
* Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.

Ofte stillede spørgsmål (FAQ)

Hvad er de vigtigste egenskaber ved Vishay SIHFB20N50K-E3 MOSFET?

Vishay SIHFB20N50K-E3 er en N-kanal MOSFET med en spændingsgrænse på 500 V, en kontinuerlig afløbstrøm på 20 A og en lav Rds(On) på 250 mΩ ved 12 A. Den er designet til højspændingsskifterapplikationer med en maksimal effektforbrug på 280 W og et temperaturinterval fra -55°C til 150°C.

Er Vishay SIHFB20N50K-E3 egnet til højspændingsforsyningsdesign?

Ja, denne MOSFET er ideel til højspændingsforsyningskredsløb på grund af sin 500 V afløb-til-kilde spændingsgrænse. Dens robuste vurderinger sikrer pålidelig ydeevne i krævende skiftekredsløb.

Hvad er kompatibilitets- og monteringskravene for denne MOSFET?

MOSFET'en bruger en gennemgangshul TO-220AB pakning, hvilket gør den kompatibel med standard gennemgangsmontering. Den kræver passende varmeafledning for optimal termisk styring og pålidelig drift.

Hvordan forbedrer Vishay SIHFB20N50K-E3 effektiviteten i skifteapplikationer?

Dens lave Rds(On) på 250 mΩ reducerer ledningstab, og dens høje spændings- og strømratinger understøtter effektiv skiftefunktion i højtydende kredsløb, hvilket forbedrer den samlede systemeffektivitet.

Tilbyder Vishay support eller erstatningsmuligheder for SIHFB20N50K-E3 MOSFET?

Ja, Vishay tilbyder erstatningsmodeller som FDP22N50N og IRFB20N50KPBF for kompatibilitet. Desuden findes produktet med aktiv lagerbeholdning og standard garantistøtte for kundetillid.

Kvalitetssikring (QC)

DiGi sikrer kvaliteten og ægtheden af alle elektronikkomponenter gennem professionelle inspektioner og batch-test, hvilket garanterer pålidelig sourcing, stabil ydeevne og overholdelse af tekniske specifikationer. Dette hjælper kunder med at reducere forsyningskæderisici og bruge komponenter i produktionen med tillid.

Kvalitetssikring
Falsk og defektforebyggelse

Falsk og defektforebyggelse

Omfattende screening for at identificere falske, renoverede eller defekte komponenter, for at sikre at kun ægte og i-overensstemmelse dele leveres.

Visuel- og emballageinspektion

Visuel- og emballageinspektion

Elektrisk ydeevneverifikation

Verifikation af komponentudseende, mærkninger, datokoder, emballagens integritet og etikettekonsistens for at sikre sporbarhed og overensstemmelse.

Livs- og pålidelighedsvurdering

DiGi-certificering
Blogs og Indlæg
SIHFB20N50K-E3 CAD Models
productDetail
Please log in first.
Ingen konto endnu? Tilmeld