Falsk og defektforebyggelse
Visuel- og emballageinspektion
Elektrisk ydeevneverifikation
Service E-mail
[email protected]
>
IPP041N12N3GXKSA1
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3
200457 Stk Nye Originaler På Lager
N-Channel 120 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Anmod om tilbud
(Afsendes i morgen)
*Mængde
Minimum 1
Minimum 1
5.0 / 5.0
- (94 Vurderinger)
IPP041N12N3GXKSA1
Produktoversigt
12803539
Delnummer
IPP041N12N3GXKSA1-DGProducent
Infineon Technologies
IPP041N12N3GXKSA1
Beskrivelse
MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3Lager
200457 Stk Nye Originaler På Lager
N-Channel 120 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
Køb og forespørgsel
Garanti & Returnering
Hvordan man bestiller
Forsendelse & Levering
Kvalitetssikring
365 dages kvalitetsgaranti - Hvert stykke er fuldt ud dækket.
90 dages refusion eller ombytning - Defekte dele? Ingen besvær.
Begrænset lager, Bestil nu - Få pålidelige dele uden bekymringer.
Global forsendelse og sikker emballering
Verdensomspændende levering på 3-5 hverdage
100% ESD Antistatiske Pakker
Real-time sporing for hver ordre
Sikker og fleksibel betaling
Kreditkort, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Bankoverførsel (T/T) og mere
Alle betalinger krypteret for sikkerhed
IPP041N12N3GXKSA1 Tekniske specifikationer
Kategori
Transistorer, FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Emballage
Tube
Serie
OptiMOS™
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
120 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.1mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 270µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
211 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
13800 pF @ 60 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
300W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke med leverandørenheder
PG-TO220-3
Pakke / etui
TO-220-3
Basis produktnummer
IPP041
Datablad og dokumenter
Datablade
IPx041N12N3 G, IPB038N12N3 G
HTML datablade
IPP041N12N3GXKSA1-DG
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Yderligere Information
Standard pakke
50
Andre navne
SP000652746
IPP041N12N3 G
IPP041N12N3 G-DG
IPP041N12N3GXKSA1-DG
448-IPP041N12N3GXKSA1
IPP041N12N3G
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
쇼핑 경험이 정말 뛰어나고, 제품의 내구성도 좋아서 추천합니다.
Dec 02, 2025
Die Betreuung nach dem Kauf bei DiGi Electronics war vorbildlich. Bei einem Problem wurde mir umgehend eine Lösung angeboten.
Dec 02, 2025
信頼できるサポートで、製品の長寿命化に役立っています。
Dec 02, 2025
Their affordable prices make it easy to get dependable electronics without breaking the bank.
Dec 02, 2025
Order tracking is seamless, providing real-time updates on delivery status.
Dec 02, 2025
The entire delivery process, from packaging to logistics updates, was top-tier.
Dec 02, 2025
Their packaging materials seem to be specially chosen to withstand rough handling, safeguarding my goods.
Dec 02, 2025
The navigation experience is fluid, making shopping stress-free.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Ofte stillede spørgsmål (FAQ)
Hvad er de vigtigste funktioner af Infineon OptiMOS™ N-Kanal MOSFET (IPP041N12N3GXKSA1)?
Denne MOSFET understøtter en drain-til-source-spænding på 120V og en kontinuerlig drainstrøm på 120A ved 25°C, med et lavt Rds On på 4,1mΩ, hvilket gør den velegnet til højtydende switchingsystemer. Den er designet med en TO-220-3 pakke for nem montering og pålidelig ydeevne.
Hvilke anvendelser er denne 120V 120A MOSFET egnet til?
Denne MOSFET er ideel til strømforsyninger, motordrev, og højstrøms switchingskredsløb, hvor effektiv strømstyring og god varmeudledning er kritisk. Dens robuste design sikrer holdbarhed i krævende elektroniske systemer.
Er denne N-Kanal MOSFET kompatibel med eksisterende elektroniske design?
Ja, IPP041N12N3GXKSA1 er kompatibel med standard gate-tyristor-spændinger og har en gate-tærskel på 4V, hvilket gør den egnet til forskellige switching-strømforsyninger og indlejrede systemer.
Hvad er fordelene ved at vælge Infineons OptiMOS™-serie af MOSFETs?
OptiMOS™ MOSFETs er kendt for lav Rds On, høj effektivitet og fremragende termisk ydeevne, hvilket hjælper med at reducere effektforbruget og forbedre den samlede pålidelighed i systemet.
Hvilke garantier og support kan der fås for dette MOSFET-produkt?
Som et aktivt og RoHS3-overholdende produkt understøttes MOSFET'en af producentens support og kvalitetsgaranti. Den leveres direkte fra lager, hvilket sikrer hurtig tilgængelighed til dine projekter.
Kvalitetssikring (QC)
DiGi sikrer kvaliteten og ægtheden af alle elektronikkomponenter gennem professionelle inspektioner og batch-test, hvilket garanterer pålidelig sourcing, stabil ydeevne og overholdelse af tekniske specifikationer. Dette hjælper kunder med at reducere forsyningskæderisici og bruge komponenter i produktionen med tillid.
IPP041N12N3GXKSA1 CAD Models
Infineon Technologies IPP041N12N3GXKSA1 PCB symbols & footprints
productDetail
